gtr与gto哪个容量大(gtr和gts)

gtr与gto哪个容量大

功率容量比较GTO（6000V/6000A）>SITH>MCT>IGBT（2500V/1000A）>GTR（1800V/400A）>SIT>功率MOSFET（1000V/100A）通态电阻比较功率MOSFET>SIT>SITH>GTO>IGBT>GTR>MCT控制难易程度比较电压控制型控制较电流控制型更容易控制。

GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过GTR，只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。

GTO一般最高只能做到几百Hz，但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

GTOGTRIGBTMOSFET频率范围分别为多少

上述提到的器件都属于功率开关器件。若按参与导电的载流子是一种还是两种，可分为单极器件和双极器件。其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。

MOSFET （电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小。MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级，所以说这是个折衷考虑的结果。

在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。

问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET，双极型达林顿管等，目今功率可高达1MW的低频应用中，单个元件电压可达0KV（PT结构）— 5KV（NPT结构），电流可达5KA，是较为理想的功率模块。

IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

电力电子技术试题GTOGTRMOSFETIGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详…

– 特点：类似于 GTO，GTR 也是可关断的器件，但它通常用于整流电路。 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- 类型：MOSFET 是一种场效应晶体管。- 特点：主要特征是通过在栅极上施加电压来调控电流的通断。它有很高的输入阻抗，适用于高频应用。

IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号，可以设置相应的占空比，如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50，脉冲宽度为窄脉冲，为电源周期的5%，脉冲幅值可以取为5~10V，如果设置触发延迟角α为45度，只需将相位延迟参数设置为5ms，可以根据需要自己设置触发角，不同的电路可能还要设置相应的死区时间。

这个只能比较大多数情况， IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。

GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好 mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小 IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

大功率晶体管的性能比较

选型考虑原则适用性（是否满足技术要求）、经济性（性价比）；工作频率比较SIT>MOSFET（3-10MHz）>IGBT（50KHz）>SITH>GTR（30KHz）>MCT>GTO功率容量比较GTO（6000V/6000A）>SITH>MCT>IGBT（2500V/1000A）>GTR（1800V/400A）>SIT>功率MOSFET（1000V/100A）通态电阻比较功率MOSFET>。

其次，大功率器件在电路设计和接线时需更加谨慎，以避免因电流过大引起的短路或过载。此外，大功率器件的制造成本通常较高，需要更先进的材料和工艺技术来实现。因此，在选择和应用大功率晶体管时，工程师需综合考虑成本、性能、安全性和可靠性等多方面因素，以确保系统的整体优化。

GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大。

除了输出功率以外参数所表达的意义根本不同。从性能来说，电子管子的负载能力强，线性性能优于晶体管，特别高频大功率领域的工作特性要比晶体管好得多。但电子管体积大，需要灯丝加热功耗高，寿命短，输出电流小需高电压才能获得大功率输出，在音响上运用需经变压器后才能接音箱，成本高等等。